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碳化硅廠家_品牌-瑞森半導體 
 
      碳化硅由于化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能好,除作磨料用外手机真人赌博游戏平台,還有很多其他用途,例如:以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機葉輪或汽缸體的內壁手机真人赌博游戏平台,可提高其耐磨性而延長使用壽命1~2倍;用以制成的高級耐火材料,耐熱震、體積小手机真人赌博游戏平台、重量輕而強度高,節能效果好手机真人赌博游戏平台。低品級碳化硅(含SiC約85%)是極好的脫氧劑,用它可加快煉鋼速度,并便于控制化學成分,提高鋼的質量。此外,碳化硅還大量用于制作電熱元件硅碳棒。碳化硅的硬度很大手机真人赌博游戏平台,莫氏硬度為9.5級,僅次于世界上最硬的金剛石(10級),具有優良的導熱性能手机真人赌博游戏平台,是一種半導體,高溫時能抗氧化。
      SiC是Si和C的唯一穩定化合物手机真人赌博游戏平台,其理化性質有許多獨特之處。SiC晶體是目前所知最硬的物質之一,其硬度在20℃時高達莫氏9.2-9.3,僅次于金剛石(10)、立方BN(9.5)和BC(9.36);它又是一種化學性能十分穩定的材料,在1500℃下幾乎不受任何實驗室溶劑的刻蝕;SiC在常壓下不能熔化,加熱至2300℃左右即升華。碳化硅的另一重要特點是具有多種同素異構體( polytypes,或稱同質異型體)。
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  理論上,碳化硅有無窮多種不同的結晶形態,迄今為止已觀察到的同質異晶形態( polymorphism)就有200余種(一說170余種)。但所有這些同素異構體中只有一種屬于立方晶系,即具有類似于砷化鎵晶體結構的閃鋅礦型3C-SiC,亦稱β-SiC手机真人赌博游戏平台。其他同素異構體皆屬六方晶系手机真人赌博游戏平台,其晶體結構或為六方體( Hexagonal)型,或為菱面六方體( Rhombohedral)型手机真人赌博游戏平台手机真人赌博游戏平台,分別用數字加字母H和R表示手机真人赌博游戏平台,例如6H-SiC、15R-SiC等。3C-SiC以外的所有SiC同素異構體統稱α-SiC。在碳化硅晶體結構的這種命名方式中,字母代表的是晶體結構的類型,字母前的數字代表一個堆垛周期中包含的雙原子層的數目。
  盡管結晶碳化硅有這么多的同質異型體手机真人赌博游戏平台手机真人赌博游戏平台,但其結構規律并不十分復雜。所有這些同素異構體都可看成是由一種基本結構完全相同的正四面體型硅-碳雙原子層堆垛而成,區分各種同素異構體的唯一依據就是這些雙原子層的堆垛次序手机真人赌博游戏平台。
  碳化硅是非常典型的共價鍵化合物,共價鍵成分占88%手机真人赌博游戏平台,離子鍵只占12%。在它的任何一種結晶形態中手机真人赌博游戏平台,每一個碳原子都被4個硅原子緊密包圍著,每一個硅原子也都被4個碳原子緊密包圍著。每個原子與其四個最近鄰一起通過很強的SP3共價鍵結合成一個正四面體手机真人赌博游戏平台。兩個最近鄰原子之間的中心距為0.189mm手机真人赌博游戏平台。在構造各種碳化硅同素異構體模型的時候,無論是硅-碳原子雙原子層還是這些雙原子層的堆垛,都要服從這個基本規則手机真人赌博游戏平台,并且符合密堆積原則。
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